탄화규소(SiC) 단결정 소재는 큰 밴드갭 폭(~Si 3배), 높은 열전도도(~Si 3.3배 또는 GaAs 10배), 높은 전자 포화 이동률(~Si 2.5배), 높은 항복 전기적 특성을 가지고 있습니다. 분야(~Si 10배 또는 GaAs 5배) 및 기타 뛰어난 특성.
SiC 소자는 고온, 고압, 고주파, 고전력 전자 소자 분야와 항공우주, 군사, 원자력 등 극한 환경 응용 분야에서 대체할 수 없는 장점을 갖고 있어 실제적으로 기존 반도체 소재 소자의 단점을 보완합니다. 애플리케이션을 개발하고 점차 전력반도체의 주류로 자리잡고 있습니다.
4H-SiC 실리콘 카바이드 기판 사양
| 아이템项目 | 사양参数 | |
| 폴리타입 | 4H -SiC | 6H- SiC |
| 지름 | 2인치 |3인치 |4인치 |6인치 | 2인치 |3인치 |4인치 |6인치 |
| 두께 | 330μm ~ 350μm | 330μm ~ 350μm |
| 전도도 | N – 유형 / 반절연 | N – 유형 / 반절연 |
| 도펀트 | N2(질소)V(바나듐) | N2(질소) V(바나듐) |
| 정위 | 축 <0001> | 축 <0001> |
| 비저항 | 0.015 ~ 0.03옴-cm | 0.02 ~ 0.1옴-cm |
| 마이크로파이프 밀도(MPD) | 10/cm2 이하 ~ 1/cm2 이하 | 10/cm2 이하 ~ 1/cm2 이하 |
| TTV | 15μm 이하 | 15μm 이하 |
| 활 / 워프 | 25μm 이하 | 25μm 이하 |
| 표면 | DSP/SSP | DSP/SSP |
| 등급 | 생산/연구등급 | 생산/연구등급 |
| 크리스탈 스태킹 순서 | ABCB | ABCABBC |
| 격자 매개변수 | a=3.076A , c=10.053A | a=3.073A , c=15.117A |
| Eg/eV(밴드갭) | 3.27eV | 3.02eV |
| ε(유전율) | 9.6 | 9.66 |
| 굴절률 | n0 =2.719 ne =2.777 | n0 =2.707 , ne =2.755 |
6H-SiC 실리콘 카바이드 기판 사양
| 아이템项目 | 사양参数 |
| 폴리타입 | 6H-SiC |
| 지름 | 4인치 |6인치 |
| 두께 | 350μm ~ 450μm |
| 전도도 | N – 유형 / 반절연 |
| 도펀트 | N2(질소) |
| 정위 | <0001> 꺼짐 4°± 0.5° |
| 비저항 | 0.02 ~ 0.1옴-cm |
| 마이크로파이프 밀도(MPD) | ≤ 10/cm2 |
| TTV | 15μm 이하 |
| 활 / 워프 | 25μm 이하 |
| 표면 | Si 페이스: CMP, Epi-Ready |
| 등급 | 연구등급 |
