GaAs 기판은 전도성 기판과 반절연 기판으로 구분되며, 레이저(LD), 반도체 발광다이오드(LED), 근적외선 레이저, 양자우물 고출력 레이저, 고효율 태양광 패널 등에 널리 사용된다.레이더, 마이크로파, 밀리미터파 또는 초고속 컴퓨터 및 광통신용 HEMT 및 HBT 칩;무선 통신, 4G, 5G, 위성 통신, WLAN용 무선 주파수 장치.
최근 갈륨비소 기판은 미니 LED, 마이크로 LED, 적색 LED에서도 큰 발전을 이루었으며 AR/VR 웨어러블 기기에 널리 사용됩니다.
| 지름 | 50mm |75mm |100mm |150mm |
| 성장 방법 | LEC液封直拉법 |
| 웨이퍼 두께 | 350 음 ~ 625 음 |
| 정위 | <100> / <111> / <110> 또는 기타 |
| 전도성 유형 | P – 유형 / N – 유형 / 반절연 |
| 종류/도펀트 | Zn / Si / 도핑되지 않은 |
| 캐리어 농도 | 1E17 ~ 5E19cm-3 |
| RT에서의 저항률 | SI의 경우 ≥1E7 |
| 유동성 | ≥4000 |
| EPD(에치피트 밀도) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10 음 |
| 활 / 워프 | ≤ 20 음 |
| 표면 마감 | DSP/SSP |
| 레이저 마크 |
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| 등급 | 에피연마등급 / 기계등급 |
