핵심 구성 요소 중 하나로MOCVD 장비, 흑연 베이스는 필름 재료의 균일성과 순도를 직접 결정하는 기판의 캐리어 및 가열체이므로 그 품질은 에피텍셜 시트의 제조에 직접적인 영향을 미치며 동시에 시트 수의 증가에 따라 용도 및 작업조건의 변화에 따라 착용이 매우 용이한 소모품에 속합니다.
흑연은 열전도율과 안정성이 우수하지만,MOCVD 장비그러나 생산 과정에서 흑연은 부식성 가스 및 금속 유기물의 잔류로 인해 분말을 부식시키고 흑연 기재의 수명이 크게 단축됩니다.동시에 떨어지는 흑연 분말은 칩을 오염시킵니다.
코팅기술의 출현은 분말의 표면고정, 열전도도 향상, 열분포 균일화 등을 가능하게 하여 이러한 문제를 해결하는 주요 기술이 되었습니다.흑연 베이스MOCVD 장비사용 환경에 따라 흑연 베이스 표면 코팅은 다음 특성을 충족해야 합니다.
(1) 흑연베이스는 완전히 감쌀 수 있고 밀도가 좋습니다. 그렇지 않으면 흑연베이스가 부식성 가스에 부식되기 쉽습니다.
(2) 흑연 베이스와의 결합 강도가 높아 여러 번의 고온 및 저온 사이클 후에도 코팅이 쉽게 벗겨지지 않습니다.
(3) 고온 및 부식성 분위기에서 코팅 실패를 방지하기 위해 화학적 안정성이 우수합니다.
SiC는 내식성, 높은 열 전도성, 열충격 저항성, 높은 화학적 안정성 등의 장점을 갖고 있으며 GaN 에피택셜 분위기에서 잘 작동할 수 있습니다.또한, SiC의 열팽창 계수는 흑연의 열팽창 계수와 거의 다르지 않으므로 SiC는 흑연 기재의 표면 코팅에 선호되는 재료입니다.
현재 일반적인 SiC는 주로 3C, 4H 및 6H 유형이며 다양한 결정 유형의 SiC 용도가 다릅니다.예를 들어, 4H-SiC는 고전력 장치를 제조할 수 있습니다.6H-SiC는 가장 안정적이며 광전 장치를 제조할 수 있습니다.GaN과 유사한 구조로 인해 3C-SiC는 GaN 에피택셜 층을 생성하고 SiC-GaN RF 장치를 제조하는 데 사용될 수 있습니다.3C-SiC는 일반적으로 다음과 같이 알려져 있습니다.β-SiC 및 중요한 용도β-SiC는 필름 및 코팅재로서β- 현재 코팅의 주요 소재는 SiC입니다.
게시 시간: 2023년 11월 6일