1 부
CVD(화학적 기상 증착) 방법:
900-2300℃에서 TaCl 사용5탄탈륨 및 탄소 소스로 CnHm, 환원 분위기로 H2, 캐리어 가스로 Ar2, 반응 증착 필름을 사용합니다.준비된 코팅은 치밀하고 균일하며 순도가 높습니다.그러나 공정이 복잡하고, 비용이 비싸며, 기류 조절이 어렵고, 증착 효율이 낮은 등의 문제가 있다.
2 부
슬러리 소결 방법:
탄소원, 탄탈륨원, 분산제, 바인더를 함유한 슬러리를 흑연 위에 코팅하고 건조 후 고온에서 소결합니다.준비된 코팅은 규칙적인 배향 없이 성장하며, 비용이 저렴하고 대규모 생산에 적합합니다.대형 흑연에 균일하고 완전한 코팅을 달성하고 지지 결함을 제거하며 코팅 결합력을 향상시키는 방법은 계속 연구되고 있습니다.
파트/3
플라즈마 분사 방법:
TaC 분말은 고온에서 플라즈마 아크에 의해 용융되고, 고속 제트에 의해 고온의 액적으로 원자화되어 흑연 재료의 표면에 분사됩니다.비진공 상태에서 산화막 형성이 용이하고 에너지 소모가 크다.
수치 .GaN 에피택셜 성장 MOCVD 장치(Veeco P75)에 사용된 후의 웨이퍼 트레이.왼쪽은 TaC 코팅, 오른쪽은 SiC 코팅입니다.
TaC 코팅흑연 부분을 해결해야합니다
1 부
결속력:
TaC와 탄소재료는 열팽창계수 등의 물리적 성질이 다르고, 코팅 접착력이 낮고, 균열, 기공, 열응력을 피하기 어렵고, 부패물이 함유된 실제 분위기에서 코팅이 벗겨지기 쉽습니다. 상승과 냉각 과정을 반복합니다.
2 부
청정:
TaC 코팅고온 조건에서 불순물과 오염을 피하기 위해서는 초고순도가 필요하며, 풀코팅 표면 및 내부의 유리탄소와 고유불순물의 유효함량기준 및 특성규명기준에 대한 합의가 필요합니다.
파트/3
안정:
2300℃ 이상의 고온 저항성과 내화학성은 코팅의 안정성을 테스트하는 가장 중요한 지표입니다.핀홀, 균열, 누락된 모서리 및 단일 방향 결정립 경계는 부식성 가스가 흑연에 침투하여 코팅 보호 실패를 초래하기 쉽습니다.
파트/4
산화 저항:
TaC는 500℃ 이상에서 Ta2O5로 산화되기 시작하며, 온도와 산소 농도가 증가함에 따라 산화 속도가 급격히 증가합니다.표면 산화는 결정립계와 작은 결정립에서 시작하여 점차적으로 기둥 모양의 결정과 부서진 결정을 형성하여 많은 틈과 구멍이 생기고 코팅이 벗겨질 때까지 산소 침투가 강화됩니다.생성된 산화물 층은 열전도율이 낮고 외관상 다양한 색상을 나타냅니다.
파트/5
균일성과 거칠기:
코팅 표면이 고르지 않게 분포되면 국부적인 열 응력 집중이 발생하여 균열 및 박리 위험이 높아질 수 있습니다.또한, 표면 거칠기는 코팅과 외부 환경 사이의 상호 작용에 직접적인 영향을 미치며, 거칠기가 너무 높으면 쉽게 웨이퍼와의 마찰이 증가하고 열장이 고르지 않게 됩니다.
파트/6
입자 크기:
균일한 입자 크기는 코팅의 안정성에 도움이 됩니다.입자 크기가 작으면 결합이 단단하지 않고 산화 및 부식되기 쉽기 때문에 입자 가장자리에 많은 균열과 구멍이 생겨 코팅의 보호 성능이 저하됩니다.입자 크기가 너무 크면 상대적으로 거칠고 열 스트레스로 인해 코팅이 벗겨지기 쉽습니다.
게시 시간: 2024년 3월 5일