SiC 웨이퍼 보트
실리콘 카바이드 웨이퍼 보트주로 태양광 및 반도체 확산 공정에 사용되는 웨이퍼용 하중 지지 장치입니다. 내마모성, 내식성, 고온 충격 저항, 플라즈마 충격 저항, 고온 지지력, 높은 열전도율, 높은 방열 및 장기간 사용과 같은 특성을 가지며 구부러지고 변형되기 쉽지 않습니다. 당사는 고순도 탄화규소 소재를 사용하여 수명을 보장하고 다음을 포함한 맞춤형 디자인을 제공합니다. 다양한 수직, 수평웨이퍼 보트.
SiC 패들
그만큼실리콘 카바이드 캔틸레버 패들실리콘 웨이퍼의 (확산) 코팅에 주로 사용되며, 실리콘 웨이퍼를 고온에서 적재 및 운송하는 데 중요한 역할을 합니다. 이는 의 핵심 구성 요소입니다.반도체 웨이퍼로딩 시스템에는 다음과 같은 주요 특징이 있습니다.
1. 고온 환경에서도 변형되지 않으며 웨이퍼에 대한 로딩력이 높습니다.
2. 극한의 추위와 급격한 열에 강하고 수명이 길다.
3. 열팽창 계수가 작아 유지 관리 및 청소주기가 크게 연장되고 오염 물질이 크게 감소합니다.
SiC 퍼니스 튜브
실리콘 카바이드 프로세스 튜브금속 불순물이 없는 고순도 SiC로 만들어져 웨이퍼를 오염시키지 않으며, 반도체 및 광전지 확산, 어닐링, 산화 공정 등의 공정에 적합합니다.
SiC 로봇팔
SiC 로봇 팔웨이퍼 이송 엔드 이펙터라고도 알려진 는 반도체 웨이퍼를 운반하는 데 사용되는 로봇 팔이며 반도체, 광전자공학, 태양 에너지 산업에서 널리 사용됩니다. 고경도, 내마모성, 내진성, 변형 없는 장기간 사용, 긴 수명 등을 갖춘 고순도 탄화규소를 사용하여 맞춤형 서비스를 제공할 수 있습니다.
결정 성장용 흑연
흑연 열 차폐
흑연 전극관
흑연 디플렉터
흑연 척
반도체 크리스탈 성장에 사용되는 모든 공정은 고온 및 부식성 환경에서 작동됩니다. 결정성장로의 핫존은 일반적으로 내열성, 내식성이 높은 고순도로 구성됩니다. 흑연 히터, 도가니, 실린더, 디플렉터, 척, 튜브, 링, 홀더, 너트 등과 같은 흑연 구성 요소 당사의 완제품은 회분 함량이 5ppm 미만일 수 있습니다.
반도체 에피택시용 흑연
흑연 베이스
흑연 에피택셜 배럴
Monocry Staline 실리콘 에피택셜 베이스
MOCVD 흑연 부품
반도체 흑연 고정물
에피택셜 공정은 기판과 동일한 격자 배열을 가진 단결정 기판 위에 단결정 물질을 성장시키는 것을 말합니다. 이를 위해서는 초고순도 흑연 부품과 SIC 코팅이 된 흑연 베이스가 많이 필요합니다. 반도체 에피택시에 사용되는 고순도 흑연은 업계에서 가장 일반적으로 사용되는 장비와 일치할 수 있는 광범위한 응용 분야를 가지고 있으며 동시에 매우 높은 순도를 가지고 있습니다. 순도, 균일한 코팅, 탁월한 사용 수명, 매우 높은 내화학성 및 열 안정성을 제공합니다.
단열재 및 기타
반도체 생산에 사용되는 단열재로는 흑연 하드 펠트, 소프트 펠트, 흑연 포일, 탄소 복합 재료 등이 있습니다. 당사의 원재료는 수입 흑연 재료로 고객의 사양에 따라 절단 가능하며, 전체. 탄소복합재료는 일반적으로 태양광 단결정 및 폴리실리콘 셀 생산 공정의 캐리어로 사용됩니다.