세미세라자랑스럽게 소개합니다4" 갈륨 산화물 기판, 고성능 반도체 장치의 증가하는 요구를 충족하도록 설계된 획기적인 소재입니다. 산화갈륨(Ga2O3) 기판은 매우 넓은 밴드갭을 제공하므로 차세대 전력 전자공학, UV 광전자공학 및 고주파 장치에 이상적입니다.
주요 특징:
• 매우 넓은 밴드갭:4" 갈륨 산화물 기판약 4.8eV의 밴드갭을 자랑하여 탁월한 전압 및 온도 허용 오차를 허용하며 실리콘과 같은 기존 반도체 소재보다 훨씬 뛰어난 성능을 발휘합니다.
•높은 항복 전압: 이 기판을 사용하면 장치가 더 높은 전압과 전력에서 작동할 수 있으므로 전력 전자 분야의 고전압 응용 분야에 적합합니다.
•뛰어난 열 안정성: 산화 갈륨 기판은 뛰어난 열 전도성을 제공하여 극한 조건에서도 안정적인 성능을 보장하므로 까다로운 환경에서 사용하기에 이상적입니다.
•높은 재료 품질: 결함 밀도가 낮고 결정 품질이 높은 이 기판은 안정적이고 일관된 성능을 보장하여 장치의 효율성과 내구성을 향상시킵니다.
•다양한 응용: 파워 트랜지스터, 쇼트키 다이오드, UV-C LED 소자 등 광범위한 애플리케이션에 적합하며, 전력 및 광전자 분야 모두에서 혁신을 가능하게 합니다.
Semicera와 함께 반도체 기술의 미래를 탐험해보세요4" 갈륨 산화물 기판. 당사의 기판은 최첨단 응용 분야를 지원하도록 설계되어 오늘날의 최첨단 장치에 필요한 신뢰성과 효율성을 제공합니다. 반도체 재료의 품질과 혁신을 위해 Semicera를 신뢰하십시오.
| 품목 | 생산 | 연구 | 더미 |
| 크리스탈 매개변수 | |||
| 폴리타입 | 4H | ||
| 표면 방향 오류 | <11-20 >4±0.15° | ||
| 전기적 매개변수 | |||
| 도펀트 | n형 질소 | ||
| 비저항 | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| 기계적 매개변수 | |||
| 지름 | 150.0±0.2mm | ||
| 두께 | 350±25μm | ||
| 기본 평면 방향 | [1-100]±5° | ||
| 기본 평면 길이 | 47.5±1.5mm | ||
| 2차 아파트 | 없음 | ||
| TTV | 5μm 이하 | 10μm 이하 | 15μm 이하 |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | 10μm 이하(5mm*5mm) |
| 절하다 | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| 경사 | ≤35μm | 45μm 이하 | ≤55μm |
| 전면(Si-face) 거칠기(AFM) | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
| 구조 | |||
| 마이크로파이프 밀도 | <1개/cm2 | <10개/cm2 | <15개/cm2 |
| 금속 불순물 | ≤5E10원자/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500개/cm2 | ≤3000개/cm2 | NA |
| 티에스디 | ≤500개/cm2 | ≤1000개/cm2 | NA |
| 전면 품질 | |||
| 앞쪽 | Si | ||
| 표면 마무리 | Si-페이스 CMP | ||
| 입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3μm) | NA | |
| 긁힌 자국 | ≤5ea/mm. 누적 길이 ≤직경 | 누적 길이≤2*직경 | NA |
| 오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염 | 없음 | NA | |
| 가장자리 칩/압흔/파손/육각 플레이트 | 없음 | ||
| 다형 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤20% | 누적 면적 ≤30% |
| 전면 레이저 마킹 | 없음 | ||
| 뒷면 품질 | |||
| 백마무리 | C-페이스 CMP | ||
| 긁힌 자국 | ≤5ea/mm, 누적 길이≤2*직경 | NA | |
| 뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 | ||
| 뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
| 후면 레이저 마킹 | 1mm(상단 가장자리부터) | ||
| 가장자리 | |||
| 가장자리 | 모따기 | ||
| 포장 | |||
| 포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료 다중 웨이퍼 카세트 포장 | ||
| *참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다. | |||
