Semicera는 업계 최고의웨이퍼 캐리어, 제조 공정의 다양한 단계에서 섬세한 반도체 웨이퍼를 탁월한 보호와 원활한 운송을 제공하도록 설계되었습니다. 우리의웨이퍼 캐리어현대 반도체 제조의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 세심하게 설계되어 웨이퍼의 무결성과 품질이 항상 유지되도록 보장합니다.
주요 특징:
• 프리미엄 소재 구성:내구성과 수명을 보장하는 고품질의 오염 방지 소재로 제작되어 클린룸 환경에 이상적입니다.
•정밀 설계:정밀한 슬롯 정렬과 안전한 고정 메커니즘이 특징으로 취급 및 운송 중 웨이퍼 미끄러짐과 손상을 방지합니다.
•다양한 호환성:다양한 웨이퍼 크기와 두께를 수용하여 다양한 반도체 애플리케이션에 유연성을 제공합니다.
•인체공학적 취급:가볍고 사용자 친화적인 디자인으로 쉽게 싣고 내릴 수 있어 작업 효율성이 향상되고 처리 시간이 단축됩니다.
•사용자 정의 가능한 옵션:재료 선택, 크기 조정, 최적화된 작업 흐름 통합을 위한 라벨링 등 특정 요구 사항을 충족하는 맞춤화 기능을 제공합니다.
Semicera의 솔루션으로 귀사의 반도체 제조 공정을 향상시키세요웨이퍼 캐리어, 오염과 기계적 손상으로부터 웨이퍼를 보호하기 위한 완벽한 솔루션입니다. 업계 표준을 충족할 뿐만 아니라 그 이상을 제공하는 제품을 제공하여 귀사의 운영이 원활하고 효율적으로 진행되도록 보장하는 품질과 혁신에 대한 당사의 약속을 믿으십시오.
| 품목 | 생산 | 연구 | 더미 |
| 크리스탈 매개변수 | |||
| 폴리타입 | 4H | ||
| 표면 방향 오류 | <11-20 >4±0.15° | ||
| 전기적 매개변수 | |||
| 도펀트 | n형 질소 | ||
| 비저항 | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| 기계적 매개변수 | |||
| 지름 | 150.0±0.2mm | ||
| 두께 | 350±25μm | ||
| 기본 평면 방향 | [1-100]±5° | ||
| 기본 평면 길이 | 47.5±1.5mm | ||
| 2차 아파트 | 없음 | ||
| TTV | 5μm 이하 | 10μm 이하 | 15μm 이하 |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | 10μm 이하(5mm*5mm) |
| 절하다 | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| 경사 | ≤35μm | 45μm 이하 | ≤55μm |
| 전면(Si-face) 거칠기(AFM) | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
| 구조 | |||
| 마이크로파이프 밀도 | <1개/cm2 | <10개/cm2 | <15개/cm2 |
| 금속 불순물 | ≤5E10원자/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500개/cm2 | ≤3000개/cm2 | NA |
| 티에스디 | ≤500개/cm2 | ≤1000개/cm2 | NA |
| 전면 품질 | |||
| 앞쪽 | Si | ||
| 표면 마무리 | Si-페이스 CMP | ||
| 입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3μm) | NA | |
| 긁힌 자국 | ≤5ea/mm. 누적 길이 ≤직경 | 누적 길이≤2*직경 | NA |
| 오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염 | 없음 | NA | |
| 가장자리 칩/압흔/파손/육각 플레이트 | 없음 | ||
| 다형 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤20% | 누적 면적 ≤30% |
| 전면 레이저 마킹 | 없음 | ||
| 뒷면 품질 | |||
| 백마무리 | C-페이스 CMP | ||
| 긁힌 자국 | ≤5ea/mm, 누적 길이≤2*직경 | NA | |
| 뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 | ||
| 뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
| 후면 레이저 마킹 | 1mm(상단 가장자리부터) | ||
| 가장자리 | |||
| 가장자리 | 모따기 | ||
| 포장 | |||
| 포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료 다중 웨이퍼 카세트 포장 | ||
| *참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다. | |||
