Semicera의 Silicon Film은 반도체 산업의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 고품질 정밀 가공 소재입니다. 순수 실리콘으로 제조된 이 박막 솔루션은 탁월한 균일성, 고순도, 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 제공합니다. Si 웨이퍼, SiC 기판, SOI 웨이퍼, SiN 기판 및 Epi-Wafer 생산을 포함한 다양한 반도체 응용 분야에 사용하기에 이상적입니다. Semicera의 실리콘 필름은 안정적이고 일관된 성능을 보장하므로 고급 마이크로 전자공학에 필수적인 소재입니다.
반도체 제조를 위한 우수한 품질과 성능
Semicera의 Silicon Film은 고성능 반도체 제조에 필수적인 뛰어난 기계적 강도, 높은 열 안정성, 낮은 불량률로 잘 알려져 있습니다. 산화갈륨(Ga2O3) 장치, AlN 웨이퍼 또는 Epi-웨이퍼 생산에 사용되는 필름은 박막 증착 및 에피택셜 성장을 위한 강력한 기반을 제공합니다. SiC 기판 및 SOI 웨이퍼와 같은 다른 반도체 기판과의 호환성은 기존 제조 공정에 원활하게 통합되어 높은 수율과 일관된 제품 품질을 유지하는 데 도움이 됩니다.
반도체 산업의 응용
반도체 산업에서 Semicera의 실리콘 필름은 Si 웨이퍼 및 SOI 웨이퍼 생산부터 SiN 기판 및 Epi-Wafer 생성과 같은 보다 특수한 용도에 이르기까지 광범위한 응용 분야에 활용됩니다. 이 필름의 높은 순도와 정밀도는 마이크로프로세서 및 집적 회로부터 광전자 장치에 이르기까지 모든 분야에 사용되는 고급 부품 생산에 필수적입니다.
실리콘 필름은 에피택셜 성장, 웨이퍼 본딩, 박막 증착과 같은 반도체 공정에서 중요한 역할을 합니다. 신뢰성 있는 특성은 반도체 공장의 클린룸과 같이 고도로 통제된 환경이 필요한 산업에 특히 중요합니다. 또한 생산 중 효율적인 웨이퍼 처리 및 운송을 위해 실리콘 필름을 카세트 시스템에 통합할 수 있습니다.
장기적인 신뢰성과 일관성
Semicera의 Silicon Film 사용의 주요 이점 중 하나는 장기적인 신뢰성입니다. 뛰어난 내구성과 일관된 품질을 갖춘 이 필름은 대량 생산 환경에 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공합니다. 고정밀 반도체 장치에 사용되든 첨단 전자 응용 분야에 사용되든 Semicera의 Silicon Film은 제조업체가 다양한 제품에 걸쳐 높은 성능과 신뢰성을 달성할 수 있도록 보장합니다.
Semicera의 실리콘 필름을 선택하는 이유는 무엇입니까?
Semicera의 Silicon Film은 반도체 산업의 최첨단 응용 분야에 필수적인 소재입니다. 탁월한 열 안정성, 고순도, 기계적 강도를 포함한 고성능 특성으로 인해 반도체 생산에서 최고 수준을 달성하려는 제조업체에게 이상적인 선택입니다. Si 웨이퍼 및 SiC 기판부터 산화갈륨 Ga2O3 장치 생산에 이르기까지 이 필름은 비교할 수 없는 품질과 성능을 제공합니다.
Semicera의 실리콘 필름을 사용하면 현대 반도체 제조 요구 사항을 충족하고 차세대 전자 제품을 위한 안정적인 기반을 제공하는 제품을 신뢰할 수 있습니다.
품목 | 생산 | 연구 | 더미 |
크리스탈 매개변수 | |||
폴리타입 | 4H | ||
표면 방향 오류 | <11-20 >4±0.15° | ||
전기적 매개변수 | |||
도펀트 | n형 질소 | ||
비저항 | 0.015-0.025ohm·cm | ||
기계적 매개변수 | |||
지름 | 150.0±0.2mm | ||
두께 | 350±25μm | ||
기본 평면 방향 | [1-100]±5° | ||
기본 평면 길이 | 47.5±1.5mm | ||
2차 아파트 | 없음 | ||
TTV | 5μm 이하 | 10μm 이하 | 15μm 이하 |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | 10μm 이하(5mm*5mm) |
절하다 | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
경사 | ≤35μm | 45μm 이하 | ≤55μm |
전면(Si-face) 거칠기(AFM) | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
구조 | |||
마이크로파이프 밀도 | <1개/cm2 | <10개/cm2 | <15개/cm2 |
금속 불순물 | ≤5E10원자/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500개/cm2 | ≤3000개/cm2 | NA |
티에스디 | ≤500개/cm2 | ≤1000개/cm2 | NA |
전면 품질 | |||
앞쪽 | Si | ||
표면 마무리 | Si-페이스 CMP | ||
입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3μm) | NA | |
긁힌 자국 | ≤5ea/mm. 누적 길이 ≤직경 | 누적 길이≤2*직경 | NA |
오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염 | 없음 | NA | |
가장자리 칩/압흔/파손/육각 플레이트 | 없음 | ||
다형 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤20% | 누적 면적 ≤30% |
전면 레이저 마킹 | 없음 | ||
뒷면 품질 | |||
백마무리 | C-페이스 CMP | ||
긁힌 자국 | ≤5ea/mm, 누적 길이≤2*직경 | NA | |
뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 | ||
뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
후면 레이저 마킹 | 1mm(상단 가장자리부터) | ||
가장자리 | |||
가장자리 | 모따기 | ||
포장 | |||
포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료 다중 웨이퍼 카세트 포장 | ||
*참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다. |