제품 설명
잉곳 성장을 위한 4h-n 4인치 6인치 dia100mm sic 시드 웨이퍼 1mm 두께
맞춤형 크기/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC 잉곳/고순도 4H-N 4inch 6inch dia 150mm 탄화규소 단결정(sic) 기판 웨이퍼S/ 맞춤형 as-cut sic 웨이퍼생산 4inch 종자 결정용 4H-N 등급 1.5mm SIC 웨이퍼
실리콘 카바이드(SiC)Crystal 정보
카보런덤(Carborundum)이라고도 알려진 실리콘 카바이드(SiC)는 화학식 SiC를 갖는 실리콘과 탄소를 포함하는 반도체입니다. SiC는 고온이나 고전압 또는 두 가지 모두에서 작동하는 반도체 전자 장치에 사용됩니다. SiC는 또한 중요한 LED 구성 요소 중 하나이며 GaN 장치 성장에 널리 사용되는 기판이며 고온에서 열 확산기 역할도 합니다. 전원 LED.
설명
| 재산 | 4H-SiC, 단결정 | 6H-SiC, 단결정 |
| 격자 매개변수 | a=3.076Å c=10.053Å | a=3.073Å c=15.117Å |
| 스태킹 순서 | ABCB | ABCACB |
| 모스 경도 | ≒9.2 | ≒9.2 |
| 밀도 | 3.21g/cm3 | 3.21g/cm3 |
| 영국 열량 단위. 팽창계수 | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| 굴절률 @750nm | 아니오 = 2.61 | 아니오 = 2.60 |
| 유전 상수 | c~9.66 | c~9.66 |
| 열전도율(N형, 0.02ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K |
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| 열전도율(반절연) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| 밴드갭 | 3.23eV | 3.02eV |
| 분해 전기장 | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| 포화 드리프트 속도 | 2.0×105m/초 | 2.0×105m/초 |
