설명
MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착)용 Semicorex의 SiC 웨이퍼 서셉터는 에피택셜 증착 공정의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 고품질 실리콘 카바이드(SiC)를 활용하는 이 서셉터는 고온 및 부식성 환경에서 비교할 수 없는 내구성과 성능을 제공하여 반도체 재료의 정밀하고 효율적인 성장을 보장합니다.
주요 특징:
1. 우수한 재료 특성고급 SiC로 제작된 당사의 웨이퍼 서셉터는 뛰어난 열 전도성과 내화학성을 나타냅니다. 이러한 특성을 통해 고온 및 부식성 가스를 포함한 MOCVD 공정의 극한 조건을 견딜 수 있어 수명과 안정적인 성능이 보장됩니다.
2. 에피택셜 증착의 정밀도SiC 웨이퍼 서셉터의 정밀한 엔지니어링은 웨이퍼 표면 전반에 걸쳐 균일한 온도 분포를 보장하여 일관되고 고품질의 에피택셜 층 성장을 촉진합니다. 이러한 정밀도는 최적의 전기적 특성을 지닌 반도체를 생산하는 데 매우 중요합니다.
3. 내구성 강화견고한 SiC 소재는 열악한 공정 환경에 지속적으로 노출되는 경우에도 마모 및 성능 저하에 대한 탁월한 저항성을 제공합니다. 이러한 내구성은 서셉터 교체 빈도를 줄여 가동 중단 시간과 운영 비용을 최소화합니다.
신청:
MOCVD용 Semicorex의 SiC 웨이퍼 서셉터는 다음과 같은 용도에 이상적으로 적합합니다.
• 반도체 소재의 에피택셜 성장
• 고온 MOCVD 공정
• GaN, AlN 등 화합물 반도체 생산
• 고급 반도체 제조 애플리케이션
CVD-SIC 코팅의 주요 사양:
이익:
•높은 정밀도: 균일하고 고품질의 Epitaxis 성장을 보장합니다.
•오래 지속되는 성능: 뛰어난 내구성으로 교체빈도를 줄여줍니다.
• 비용 효율성: 다운타임 감소 및 유지보수를 통해 운영 비용을 최소화합니다.
•다재: 다양한 MOCVD 공정 요구사항에 맞게 맞춤화 가능합니다.
