SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터 – 고성능 에피택시를 위한 고급 MOCVD 부품
개요:SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터는 MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착) 공정의 중요한 구성 요소로, 효율적이고 안정적인 심자외선 LED 에피택시층 성장을 지원하도록 특별히 설계되었습니다. Semicera는 SiC 코팅 서셉터의 선도적인 제조업체이자 공급업체로서 최고의 산업 표준을 충족하는 제품을 제공합니다. 수년간의 경험과 최고의 LED 에피택셜 제조업체와의 장기적인 파트너십을 통해 당사의 서셉터 솔루션은 전 세계적으로 신뢰를 받고 있습니다.
주요 특징 및 이점:
▪Deep UV LED 에피택시에 최적화됨:<260nm 파장 범위(UV-C 소독, 살균 및 기타 응용 분야에 사용)를 포함하여 원자외선 LED의 고성능 에피택셜 성장을 위해 특별히 설계되었습니다.
▪재료 및 코팅:고품질 SGL 흑연으로 제조되었으며 코팅 처리되었습니다.CVD SiC, NH3, HCl 및 고온 환경에 대한 탁월한 내성을 보장합니다. 이 내구성 있는 코팅은 성능과 수명을 향상시킵니다.
▪정밀한 열 관리:고급 처리 기술은 균일한 열 분포를 보장하여 에피택셜 층 성장에 영향을 미칠 수 있는 온도 구배를 방지하고 균일성과 재료 품질을 향상시킵니다.
▪ 열팽창 호환성:AlN/GaN 에피택셜 웨이퍼의 열팽창 계수와 일치하여 작업 중 웨이퍼 뒤틀림이나 균열 위험을 최소화합니다.MOCVD프로세스.
주요 MOCVD 장비에 적용 가능: Veeco K465i, EPIK 700 및 Aixtron Crius와 같은 주요 MOCVD 시스템과 호환되며 2~8인치의 웨이퍼 크기를 지원하고 슬롯 설계, 공정 온도 및 기타 매개변수에 대한 맞춤형 솔루션을 제공합니다.
신청:
▪ 원자외선 LED 제조:UV-C 소독 및 살균과 같은 응용 분야에 사용되는 원자외선 LED의 에피택시에 이상적입니다.
▪ 질화물 반도체 에피택시:반도체 장치 제조의 GaN 및 AlN 에피택셜 공정에 적합합니다.
▪ 연구 및 개발:원자외선(Deep UV) 소재 및 신기술에 중점을 둔 대학 및 연구 기관을 위한 첨단 에피택시 실험을 지원합니다.
세미세라를 선택하는 이유는 무엇입니까?
▪ 입증된 품질:우리의SiC 코팅원자외선 LED 서셉터는 엄격한 검증을 거쳐 국제 최고의 제조업체의 성능과 일치하는지 확인합니다.
▪ 맞춤형 솔루션:우리는 고객의 고유한 요구 사항을 충족하는 맞춤형 제품을 제공하여 최적의 성능과 장기적인 신뢰성을 보장합니다.
▪ 글로벌 전문성:많은 이들의 신뢰받는 파트너로서LED 에피텍셜전세계 제조업체인 Semicera는 모든 프로젝트에 최첨단 기술과 풍부한 경험을 제공합니다.
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