세미세라소개합니다반도체 카세트는 반도체 제조 공정 전반에 걸쳐 웨이퍼를 안전하고 효율적으로 처리하는 데 필수적인 도구입니다. 높은 정밀도로 설계된 이 카세트는 웨이퍼가 안전하게 보관 및 운송되어 모든 단계에서 무결성을 유지하도록 보장합니다.
탁월한 보호 및 내구성그만큼반도체 카세트Semicera의 제품은 웨이퍼를 최대한 보호하도록 제작되었습니다. 견고하고 오염 방지 소재로 제작된 이 제품은 잠재적인 손상과 오염으로부터 웨이퍼를 보호하므로 클린룸 환경에 이상적인 선택입니다. 카세트의 디자인은 미립자 생성을 최소화하고 취급 및 운송 중에 웨이퍼가 손상되지 않고 안전하게 유지되도록 보장합니다.
최적의 성능을 위한 향상된 디자인세미세라의반도체 카세트정밀한 웨이퍼 정렬을 제공하여 정렬 불량 및 기계적 손상의 위험을 줄이는 세심하게 설계된 설계가 특징입니다. 카세트의 슬롯은 각 웨이퍼를 안전하게 고정할 수 있도록 완벽하게 간격을 두고 있어 긁힘이나 기타 결함이 발생할 수 있는 움직임을 방지합니다.
다양성과 호환성그만큼반도체 카세트다재다능하고 다양한 웨이퍼 크기와 호환되므로 다양한 반도체 제조 단계에 적합합니다. 표준 또는 맞춤형 웨이퍼 치수로 작업하든 이 카세트는 귀하의 요구 사항에 맞춰 제조 공정에 유연성을 제공합니다.
간소화된 처리 및 효율성사용자를 고려한 디자인으로,Semicera 반도체 카세트가볍고 다루기 쉬우므로 빠르고 효율적인 적재 및 하역이 가능합니다. 이러한 인체공학적 디자인은 시간을 절약할 뿐만 아니라 인적 오류의 위험을 줄여 시설 내 원활한 운영을 보장합니다.
업계 표준 충족Semicera는 다음을 보장합니다.반도체 카세트품질과 신뢰성에 대한 최고의 산업 표준을 충족합니다. 각 카세트는 반도체 제조의 까다로운 조건에서도 일관되게 작동함을 보장하기 위해 엄격한 테스트를 거칩니다. 품질에 대한 이러한 헌신은 업계에서 요구되는 높은 표준을 유지하면서 웨이퍼가 항상 보호되도록 보장합니다.
| 품목 | 생산 | 연구 | 더미 |
| 크리스탈 매개변수 | |||
| 폴리타입 | 4H | ||
| 표면 방향 오류 | <11-20 >4±0.15° | ||
| 전기적 매개변수 | |||
| 도펀트 | n형 질소 | ||
| 비저항 | 0.015-0.025ohm·cm | ||
| 기계적 매개변수 | |||
| 지름 | 150.0±0.2mm | ||
| 두께 | 350±25μm | ||
| 기본 평면 방향 | [1-100]±5° | ||
| 기본 평면 길이 | 47.5±1.5mm | ||
| 2차 아파트 | 없음 | ||
| TTV | 5μm 이하 | 10μm 이하 | 15μm 이하 |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | 10μm 이하(5mm*5mm) |
| 절하다 | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| 경사 | ≤35μm | 45μm 이하 | ≤55μm |
| 전면(Si-face) 거칠기(AFM) | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
| 구조 | |||
| 마이크로파이프 밀도 | <1개/cm2 | <10개/cm2 | <15개/cm2 |
| 금속 불순물 | ≤5E10원자/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500개/cm2 | ≤3000개/cm2 | NA |
| 티에스디 | ≤500개/cm2 | ≤1000개/cm2 | NA |
| 전면 품질 | |||
| 앞쪽 | Si | ||
| 표면 마무리 | Si-페이스 CMP | ||
| 입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3μm) | NA | |
| 긁힌 자국 | ≤5ea/mm. 누적 길이 ≤직경 | 누적 길이≤2*직경 | NA |
| 오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염 | 없음 | NA | |
| 가장자리 칩/압흔/파손/육각 플레이트 | 없음 | ||
| 다형 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤20% | 누적 면적 ≤30% |
| 전면 레이저 마킹 | 없음 | ||
| 뒷면 품질 | |||
| 백마무리 | C-페이스 CMP | ||
| 긁힌 자국 | ≤5ea/mm, 누적 길이≤2*직경 | NA | |
| 뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 | ||
| 뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
| 후면 레이저 마킹 | 1mm(상단 가장자리부터) | ||
| 가장자리 | |||
| 가장자리 | 모따기 | ||
| 포장 | |||
| 포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료 다중 웨이퍼 카세트 포장 | ||
| *참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다. | |||
