-
탄탈륨 카바이드란 무엇입니까?
탄탈륨 카바이드(TaC)는 화학식 TaC x를 갖는 탄탈륨과 탄소의 이원 화합물입니다. 여기서 x는 일반적으로 0.4에서 1 사이입니다. 이는 금속 전도성을 지닌 매우 단단하고 깨지기 쉬운 내화성 세라믹 재료입니다. 그들은 갈색-회색 분말이며 우리입니다...더 읽어보세요 -
탄탈륨 카바이드 란 무엇입니까?
탄탈륨 카바이드(TaC)는 고온 저항, 고밀도, 높은 소형성을 갖춘 초고온 세라믹 소재입니다. 고순도, 불순물 함량 <5PPM; 고온에서 암모니아와 수소에 대한 화학적 불활성 및 우수한 열 안정성. 소위 초고속 ...더 읽어보세요 -
에피택시란 무엇입니까?
대부분의 엔지니어들은 반도체 소자 제조에서 중요한 역할을 하는 에피택시에 대해 익숙하지 않습니다. 에피택시는 다양한 칩 제품에 사용될 수 있으며 제품마다 Si 에피택시, SiC 에피택시, GaN 에피택시 등 다양한 유형의 에피택시가 있습니다. 에피택시란 무엇입니까?에피택시는...더 읽어보세요 -
SiC의 중요한 매개변수는 무엇입니까?
탄화규소(SiC)는 고전력 및 고주파 전자 장치에 널리 사용되는 중요한 와이드 밴드갭 반도체 소재입니다. 다음은 실리콘 카바이드 웨이퍼의 몇 가지 주요 매개변수와 자세한 설명입니다. 격자 매개변수: 다음을 확인하세요.더 읽어보세요 -
단결정 실리콘을 롤링해야 하는 이유는 무엇입니까?
압연이란 실리콘 단결정 막대의 외경을 다이아몬드 연삭휠을 사용하여 필요한 직경의 단결정 막대로 연삭하고, 단결정 막대의 편평한 가장자리 기준면 또는 위치 결정 홈을 연삭하는 공정을 말합니다. 외경 표면 ...더 읽어보세요 -
고품질 SiC 분말 생산 공정
탄화규소(SiC)는 탁월한 특성으로 알려진 무기 화합물입니다. 모아사나이트(moissanite)로 알려진 자연 발생 SiC는 매우 드뭅니다. 산업 응용 분야에서 탄화규소는 주로 합성 방법을 통해 생산됩니다. Semicera Semiconductor에서는 첨단 기술을 활용합니다...더 읽어보세요 -
결정 끌어당김 중 방사형 저항률 균일성 제어
단결정의 방사상 저항률의 균일성에 영향을 미치는 주된 이유는 고액 계면의 평탄도와 결정 성장 중 작은 평면 효과입니다. 고액 계면의 평탄도의 영향 결정 성장 중 용융물이 고르게 교반되면 , ...더 읽어보세요 -
자기장 단결정로가 단결정의 품질을 향상시킬 수 있는 이유
도가니를 용기로 사용하고 내부에 대류가 있기 때문에 생성된 단결정의 크기가 커질수록 열의 대류 및 온도 구배 균일성을 제어하기가 어려워집니다. 전도성 용융물이 로렌츠 힘에 작용하도록 자기장을 추가하면 대류가 발생할 수 있습니다.더 읽어보세요 -
승화법에 의한 CVD-SiC 벌크 소스를 이용한 SiC 단결정의 급속 성장
승화법을 통한 CVD-SiC 벌크 소스를 이용한 SiC 단결정의 급속 성장 재활용된 CVD-SiC 블록을 SiC 소스로 사용하여 PVT 방법을 통해 SiC 결정을 1.46mm/h의 속도로 성공적으로 성장시켰습니다. 성장된 결정의 마이크로파이프와 전위 밀도는 ...더 읽어보세요 -
실리콘 카바이드 에피택셜 성장 장비에 대한 최적화 및 번역된 콘텐츠
실리콘 카바이드(SiC) 기판에는 직접 처리를 방해하는 수많은 결함이 있습니다. 칩 웨이퍼를 만들려면 에피택셜 공정을 통해 SiC 기판에 특정 단결정 필름을 성장시켜야 합니다. 이 필름은 에피택셜 층으로 알려져 있습니다. 거의 모든 SiC 장치는 에피택셜에서 구현됩니다.더 읽어보세요 -
반도체 제조에서 SiC 코팅 흑연 서셉터의 중요한 역할 및 적용 사례
세미세라세미컨덕터는 반도체 제조장비 핵심부품 생산을 글로벌하게 늘릴 계획이다. 2027년까지 총 7천만 달러를 투자해 2만㎡ 규모의 신규 공장을 설립하는 것을 목표로 하고 있습니다. 핵심 부품 중 하나인 탄화규소(SiC) 웨이퍼 캐리어...더 읽어보세요 -
실리콘 웨이퍼 기판에 에피택시를 수행해야 하는 이유는 무엇입니까?
반도체 산업 체인, 특히 3세대 반도체(와이드 밴드갭 반도체) 산업 체인에는 기판과 에피택셜 레이어가 있습니다. 에피택셜 레이어의 중요성은 무엇입니까? 기판과 기판의 차이점은 무엇입니까? 서브스트럭...더 읽어보세요