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반도체 제조 공정 – 식각 기술
웨이퍼를 반도체로 만들려면 수백 가지 공정이 필요합니다. 가장 중요한 공정 중 하나는 에칭(Etching), 즉 웨이퍼에 미세한 회로 패턴을 새기는 작업입니다. 에칭 공정의 성공 여부는 설정된 분포 범위 내에서 다양한 변수를 관리하고 각 에칭 공정이...더 읽어보세요 -
플라즈마 에칭 장비의 포커스 링에 이상적인 재료: 실리콘 카바이드(SiC)
플라즈마 에칭 장비에서 세라믹 부품은 포커스 링을 비롯한 중요한 역할을 합니다. 웨이퍼 주위에 배치되고 웨이퍼와 직접 접촉하는 포커스 링은 링에 전압을 가하여 플라즈마를 웨이퍼에 집중시키는 데 필수적입니다. 이것은 UN을 향상시킵니다 ...더 읽어보세요 -
FEOL(프론트 엔드 오브 라인): 기반 마련
생산 라인의 프런트 엔드는 집의 기초를 놓고 벽을 쌓는 것과 같습니다. 반도체 제조에서 이 단계에는 실리콘 웨이퍼에 기본 구조와 트랜지스터를 만드는 작업이 포함됩니다. FEOL의 주요 단계: ...더 읽어보세요 -
실리콘 카바이드 단결정 처리가 웨이퍼 표면 품질에 미치는 영향
반도체 전력 장치는 전력 전자 시스템에서 핵심적인 위치를 차지하고 있으며, 특히 인공 지능, 5G 통신 및 신에너지 차량과 같은 기술의 급속한 발전이라는 맥락에서 이에 대한 성능 요구 사항은 더욱 까다로워졌습니다.더 읽어보세요 -
SiC 성장 핵심 핵심 소재: 탄탈륨 카바이드 코팅
현재 3세대 반도체는 탄화규소가 주류를 이루고 있다. 소자 원가구조에서 기판이 47%, 에피택시가 23%를 차지한다. 두 가지가 합쳐서 약 70%를 차지하는데, 이는 탄화규소 장치 제조에서 가장 중요한 부분입니다.더 읽어보세요 -
탄탈륨 카바이드 코팅 제품은 어떻게 재료의 내식성을 향상합니까?
탄탈륨 카바이드 코팅은 재료의 내식성을 크게 향상시킬 수 있는 일반적으로 사용되는 표면 처리 기술입니다. 탄탈륨 카바이드 코팅은 화학 기상 증착, 물리 증착 등 다양한 준비 방법을 통해 기판 표면에 부착할 수 있습니다.더 읽어보세요 -
어제 과학기술혁신위원회는 Huazhuo Precision Technology가 IPO를 종료했다고 발표했습니다!
Tsinghua의 기술이기도 한 중국 최초의 8인치 SIC 레이저 어닐링 장비 납품을 방금 발표했습니다. 왜 자료 자체를 회수한 걸까요? 몇 마디만 하자면, 첫째, 제품이 너무 다양합니다! 얼핏 보면 무슨 일을 하는지 모르겠습니다. 현재 H...더 읽어보세요 -
CVD 탄화규소 코팅-2
CVD 탄화규소 코팅 1. 탄화규소 코팅이 있는 이유 에피택셜층은 에피택셜 공정을 통해 웨이퍼를 기반으로 성장한 특정 단결정 박막입니다. 기판 웨이퍼와 에피택셜 박막을 총칭하여 에피택셜 웨이퍼라고 부른다. 그 중에는...더 읽어보세요 -
SIC 코팅 준비과정
현재 SiC 코팅의 제조방법으로는 주로 겔-졸법, 임베딩법, 브러시 코팅법, 플라즈마 분사법, 화학기상반응법(CVR), 화학기상증착법(CVD) 등이 있다. 임베딩 방법이 방법은 일종의 고온 고상 ...더 읽어보세요 -
CVD 실리콘카바이드 코팅-1
CVD SiC란 무엇입니까? 화학 기상 증착(CVD)은 고순도 고체 재료를 생산하는 데 사용되는 진공 증착 공정입니다. 이 공정은 반도체 제조 분야에서 웨이퍼 표면에 얇은 막을 형성하는 데 자주 사용됩니다. CVD로 SiC를 제조하는 과정에서 기판이 폭발합니다.더 읽어보세요 -
X선 위상 이미징을 이용한 광선 추적 시뮬레이션을 통한 SiC 결정의 전위 구조 분석
연구 배경 탄화규소(SiC)의 응용 중요성: 넓은 밴드갭 반도체 재료인 탄화규소는 뛰어난 전기적 특성(예: 더 큰 밴드갭, 더 높은 전자 포화 속도 및 열 전도성)으로 인해 많은 주목을 받아 왔습니다. 이 소품들...더 읽어보세요 -
SiC 단결정 성장의 종자결정 준비과정 3
성장 검증 탄화규소(SiC) 종자 결정은 개략적인 공정에 따라 준비되었으며 SiC 결정 성장을 통해 검증되었습니다. 사용된 성장 플랫폼은 자체 개발한 SiC 유도 성장로로 성장 온도 2200℃, 성장 압력 200Pa, 성장...더 읽어보세요