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한 기사에서 TSV(실리콘 관통 전극) 및 TGV(유리 관통 전극) 기술에 대해 알아보세요.
패키징 기술은 반도체 산업에서 가장 중요한 공정 중 하나입니다. 패키지의 형태에 따라 소켓 패키지, 표면 실장 패키지, BGA 패키지, 칩 사이즈 패키지(CSP), 싱글 칩 모듈 패키지(SCM, 배선 사이의 간격)로 나눌 수 있습니다.더 읽어보세요 -
칩 제조: 에칭 장비 및 공정
반도체 제조 공정에서 식각 기술은 기판 위의 불필요한 물질을 정밀하게 제거해 복잡한 회로 패턴을 형성하는 핵심 공정이다. 이 기사에서는 두 가지 주류 식각 기술인 용량 결합 플라즈마를 자세히 소개합니다.더 읽어보세요 -
실리콘 웨이퍼 반도체 제조의 세부 공정
먼저, 단결정 로에 있는 석영 도가니에 다결정 실리콘과 도펀트를 넣고 온도를 1000도 이상 올려 용융된 상태의 다결정 실리콘을 얻는다. 실리콘 잉곳 성장은 다결정 실리콘을 단결정으로 만드는 공정입니다.더 읽어보세요 -
석영 보트 지지대에 비해 탄화규소 보트 지지대의 장점
탄화규소 보트 지지대와 석영 보트 지지대의 주요 기능은 동일합니다. 실리콘 카바이드 보트 지지대는 성능이 우수하지만 가격이 높습니다. 이는 열악한 작업 조건(예: ...더 읽어보세요 -
반도체 분야의 탄화 규소 세라믹 응용
반도체: 반도체 산업은 “1세대 기술, 1세대 프로세스, 1세대 장비”라는 산업 법칙을 따르며, 반도체 장비의 업그레이드 및 반복은 주로 정밀도의 기술적 혁신에 달려 있습니다.더 읽어보세요 -
반도체급 유리탄소 코팅 소개
I. 유리질 탄소 구조 소개 특징: (1) 유리질 탄소의 표면은 매끄럽고 유리질 구조를 가지고 있습니다. (2) 유리질 탄소는 경도가 높고 먼지 발생이 적습니다. (3) Glassy carbon은 ID/IG 값이 크고 흑연화도가 매우 낮으며 단열성이 우수합니다.더 읽어보세요 -
탄화규소 소자 제조에 관한 것(2부)
이온 주입은 반도체 재료에 일정량과 종류의 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시키는 방법입니다. 불순물의 양과 분포를 정밀하게 제어할 수 있습니다. Part 1 전력 반도체 제조에 이온 주입 공정을 사용하는 이유더 읽어보세요 -
SiC 탄화규소 소자 제조 공정(1)
아시다시피, 반도체 분야에서 단결정 실리콘(Si)은 세계에서 가장 널리 사용되고 가장 많은 양을 차지하는 반도체 기초재료입니다. 현재 반도체 제품의 90% 이상이 실리콘 기반 소재를 사용해 생산되고 있다. 고출력에 대한 수요가 증가함에 따라 ...더 읽어보세요 -
실리콘 카바이드 세라믹 기술 및 광전지 분야에서의 응용
I. 탄화규소 구조 및 특성 탄화규소 SiC는 규소와 탄소를 함유하고 있습니다. 대표적인 다형성 화합물로 주로 α-SiC(고온 안정형), β-SiC(저온 안정형)을 포함합니다. 200개 이상의 다형체가 있으며 그 중 β-SiC의 3C-SiC와 2H-...더 읽어보세요 -
고급 소재에 경질 펠트를 다양하게 적용
경질 펠트는 다양한 산업 응용 분야, 특히 C/C 복합재 및 고성능 부품 생산에서 중요한 소재로 떠오르고 있습니다. 많은 제조업체가 선택하는 제품인 Semicera는 까다로운 요구 사항을 충족하는 최고 품질의 견고한 펠트를 제공하게 된 것을 자랑스럽게 생각합니다.더 읽어보세요 -
C/C 복합재료의 응용 및 이점 탐구
Carbon Carbon Composites라고도 알려진 C/C 복합재료는 경량 강도와 극한 온도에 대한 저항성의 독특한 조합으로 인해 다양한 첨단 산업 분야에서 광범위한 주목을 받고 있습니다. 이러한 첨단 소재는 탄소 매트릭스를 강화하여 만들어집니다.더 읽어보세요 -
웨이퍼 패들이란 무엇입니까?
반도체 제조 분야에서 웨이퍼 패들은 다양한 공정에서 웨이퍼를 효율적이고 정밀하게 처리하는 데 중추적인 역할을 합니다. 주로 확산형 다결정 실리콘 웨이퍼나 단결정 실리콘 웨이퍼의 (확산)코팅 공정에 사용됩니다.더 읽어보세요