고순도 실리콘 카바이드 패들

간단한 설명:

Semicera 고순도 실리콘 카바이드 패들은 고급 반도체 응용 분야용으로 설계되어 탁월한 열 안정성과 기계적 강도를 제공합니다. 이 SiC 패들은 정밀한 웨이퍼 핸들링을 보장하므로 고온 환경에 이상적인 선택입니다. 문의사항은 연락주세요!


제품 세부정보

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세미세라 고순도실리콘 카바이드 패들현대 반도체 제조 공정의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 세심하게 설계되었습니다. 이것SiC 캔틸레버 패들고온 환경에서 탁월하며 비교할 수 없는 열 안정성과 기계적 내구성을 제공합니다. SiC 캔틸레버 구조는 극한의 조건을 견딜 수 있도록 제작되어 다양한 공정 전반에 걸쳐 안정적인 웨이퍼 핸들링을 보장합니다.

의 주요 혁신 중 하나는SiC 패들가볍지만 견고한 디자인으로 기존 시스템에 쉽게 통합할 수 있습니다. 높은 열 전도성은 에칭 및 증착과 같은 중요한 단계에서 웨이퍼 안정성을 유지하여 웨이퍼 손상 위험을 최소화하고 더 높은 생산 수율을 보장하는 데 도움이 됩니다. 패들 구조에 고밀도 실리콘 카바이드를 사용하면 마모에 대한 저항력이 향상되어 작동 수명이 연장되고 빈번한 교체 필요성이 줄어듭니다.

Semicera는 혁신에 중점을 두고SiC 캔틸레버 패들이는 업계 표준을 충족할 뿐만 아니라 이를 초과합니다. 이 패들은 증착부터 에칭까지 정밀도와 신뢰성이 중요한 다양한 반도체 응용 분야에 사용하도록 최적화되어 있습니다. 이 최첨단 기술을 통합함으로써 제조업체는 효율성 향상, 유지 관리 비용 절감 및 일관된 제품 품질을 기대할 수 있습니다.

재결정화된 탄화규소의 물리적 특성

재산

일반적인 값

작동 온도(°C)

1600°C(산소 포함), 1700°C(환원 환경)

SiC 함량

> 99.96%

무료 Si 콘텐츠

< 0.1%

부피 밀도

2.60-2.70g/cm23

겉보기 다공성

< 16%

압축 강도

> 600MPa

냉간 굽힘 강도

80-90MPa(20°C)

뜨거운 굽힘 강도

90-100MPa(1400°C)

열팽창 @1500°C

4.70 10-6/°C

열전도도 @1200°C

23W/m•K

탄성률

240GPa

열충격 저항

매우 좋음

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