CVD 탄탈륨 카바이드 코팅 상부 하프문

간단한 설명:

8인치 탄화규소(SiC) 웨이퍼의 출현으로 다양한 반도체 공정에 대한 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있으며, 특히 온도가 섭씨 2000도를 초과할 수 있는 에피택시 공정의 경우 더욱 그렇습니다.탄화규소로 코팅된 흑연과 같은 기존 서셉터 재료는 이러한 고온에서 승화하여 에피택시 공정을 방해하는 경향이 있습니다.그러나 CVD 탄탈륨 카바이드(TaC)는 최대 섭씨 2300도까지 견딜 수 있고 더 긴 서비스 수명을 제공하여 이 문제를 효과적으로 해결합니다.세미세라에 문의하세요's CVD 탄탈륨 카바이드 코팅 상부 하프문당사의 고급 솔루션에 대해 자세히 알아보세요.


제품 상세 정보

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Semicera는 다양한 부품과 캐리어에 특화된 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅을 제공합니다.Semicera의 선도적인 코팅 공정을 통해 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅이 고순도, 고온 안정성 및 높은 화학적 내성을 달성하여 SIC/GAN 결정 및 EPI 층의 제품 품질을 향상시킵니다.흑연 코팅 TaC 서셉터), 주요 원자로 구성 요소의 수명을 연장합니다.탄탈륨 카바이드 TaC 코팅을 사용하는 것은 엣지 문제를 해결하고 결정 성장 품질을 향상시키는 것이며 Semicera는 탄탈륨 카바이드 코팅 기술(CVD)을 획기적인 방식으로 해결하여 국제 선진 수준에 도달했습니다.

 

8인치 탄화규소(SiC) 웨이퍼의 출현으로 다양한 반도체 공정에 대한 요구 사항이 점점 더 엄격해지고 있으며, 특히 온도가 섭씨 2000도를 초과할 수 있는 에피택시 공정의 경우 더욱 그렇습니다.탄화규소로 코팅된 흑연과 같은 기존 서셉터 재료는 이러한 고온에서 승화하여 에피택시 공정을 방해하는 경향이 있습니다.그러나 CVD 탄탈륨 카바이드(TaC)는 최대 섭씨 2300도까지 견딜 수 있고 더 긴 서비스 수명을 제공하여 이 문제를 효과적으로 해결합니다.세미세라에 문의하세요's CVD 탄탈륨 카바이드 코팅 상부 하프문당사의 고급 솔루션에 대해 자세히 알아보세요.

수년간의 개발 끝에 Semicera는CVD TaCR&D 부서의 공동 노력으로SiC 웨이퍼는 성장 과정에서 불량이 발생하기 쉽지만, 사용 후에는TaC, 그 차이는 상당합니다.아래는 TaC 유무에 따른 웨이퍼와 단결정 성장을 위한 Simicera 부품을 비교한 것입니다.

사진_20240227150045

TaC 유무에 관계없이

사진_20240227150053

TaC 사용 후(오른쪽)

게다가 세미세라의TaC 코팅제품비해 수명이 길고 고온 저항이 뛰어납니다.SiC 코팅.실험실 측정 결과에 따르면 우리는TaC 코팅장시간 동안 최대 섭씨 2300도의 온도에서 일관되게 작동할 수 있습니다.다음은 샘플의 몇 가지 예입니다.

 
삼

TaC 코팅 서셉터

4

TaC 코팅 반응기가 있는 흑연

0(1)
세미세라 작업장
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