semicera의 청색/녹색 LED 에피택시는 고성능 LED 제조를 위한 최첨단 솔루션을 제공합니다. 첨단 에피택셜 성장 공정을 지원하도록 설계된 세미세라의 청색/녹색 LED 에피택시 기술은 다양한 광전자공학 애플리케이션에 중요한 청색 및 녹색 LED 생산의 효율성과 정밀도를 향상시킵니다. 최첨단 Si Epitaxy 및 SiC Epitaxy를 활용하는 이 솔루션은 탁월한 품질과 내구성을 보장합니다.
제조 공정에서 MOCVD Susceptor는 PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, RTP Carrier와 같은 구성 요소와 함께 에피택셜 성장 환경을 최적화하는 데 중요한 역할을 합니다. Semicera의 청색/녹색 LED 에피택시는 LED 에피택셜 서셉터, 배럴 서셉터 및 단결정 실리콘을 안정적으로 지원하도록 설계되어 일관된 고품질 결과의 생산을 보장합니다.
이 에피택시 프로세스는 광전지 부품을 만드는 데 필수적이며 SiC 에피택시의 GaN과 같은 애플리케이션을 지원하여 전반적인 반도체 효율성을 향상시킵니다. 팬케이크 서셉터 구성에서든 다른 고급 설정에서 사용하든, semicera의 청색/녹색 LED 에피택시 솔루션은 안정적인 성능을 제공하여 제조업체가 고품질 LED 부품에 대한 증가하는 수요를 충족할 수 있도록 돕습니다.
주요 특징:
1. 고열 산화 저항:
산화 저항은 온도가 1600C만큼 높을 때 여전히 매우 좋습니다.
2. 고순도 : 고온 염소화 조건에서 화학 기상 증착으로 만들어졌습니다.
3. 내식성: 높은 경도, 조밀한 표면, 미세 입자.
4. 내식성 : 산, 알칼리, 염분 및 유기 시약.
주요사양CVD-SIC 코팅
| SiC-CVD 속성 | ||
| 결정 구조 | FCC β상 | |
| 밀도 | g/cm ³ | 3.21 |
| 경도 | 비커스 경도 | 2500 |
| 입자 크기 | μm | 2~10 |
| 화학적 순도 | % | 99.99995 |
| 열용량 | J·kg-1·K-1 | 640 |
| 승화 온도 | ℃ | 2700 |
| 굽힘 강도 | MPa(RT 4점) | 415 |
| 영률 | Gpa (4pt 굴곡, 1300℃) | 430 |
| 열팽창(CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| 열전도율 | (W/mK) | 300 |
