원자층증착(ALD)은 2개 이상의 전구체 분자를 교대로 주입해 박막을 층층이 성장시키는 화학기상증착 기술이다. ALD는 높은 제어성과 균일성의 장점을 갖고 있으며 반도체 장치, 광전자 장치, 에너지 저장 장치 및 기타 분야에 널리 사용될 수 있습니다. ALD의 기본 원리는 전구체 흡착, 표면 반응, 부산물 제거 등이며, 이러한 단계를 한 사이클로 반복함으로써 다층 재료를 형성할 수 있습니다. ALD는 높은 제어성, 균일성, 비다공성 구조라는 특징과 장점을 갖고 있으며, 다양한 기판 재료 및 다양한 재료의 증착에 사용될 수 있습니다.
ALD에는 다음과 같은 특징과 장점이 있습니다.
1. 높은 제어성:ALD는 층별 성장 공정이므로 각 재료 층의 두께와 구성을 정밀하게 제어할 수 있습니다.
2. 균일성:ALD는 전체 기판 표면에 재료를 균일하게 증착할 수 있어 다른 증착 기술에서 발생할 수 있는 불균일성을 방지합니다.
3. 비다공성 구조:ALD는 단일 원자 또는 단일 분자 단위로 증착되기 때문에 생성된 필름은 일반적으로 조밀하고 비다공성 구조를 갖습니다.
4. 좋은 커버리지 성능:ALD는 나노 기공 어레이, 고다공성 재료 등과 같은 고종횡비 구조를 효과적으로 덮을 수 있습니다.
5. 확장성:ALD는 금속, 반도체, 유리 등 다양한 기판 재료에 사용될 수 있습니다.
6. 다양성:다양한 전구체 분자를 선택함으로써 ALD 공정에서 금속 산화물, 황화물, 질화물 등과 같은 다양한 재료를 증착할 수 있습니다.
