8인치 n형 전도성 SiC 기판은 전력 전자 장치에 비교할 수 없는 성능을 제공하여 고급 반도체 응용 분야에 탁월한 열 전도성, 높은 항복 전압 및 우수한 품질을 제공합니다. Semicera는 엔지니어링된 8인치 n형 전도성 SiC 기판을 통해 업계 최고의 솔루션을 제공합니다.
Semicera의 8인치 n형 전도성 SiC 기판은 전력 전자 장치 및 고성능 반도체 응용 분야의 증가하는 수요를 충족하도록 설계된 최첨단 소재입니다. 이 기판은 탄화규소와 n형 전도성의 장점을 결합하여 높은 전력 밀도, 열 효율 및 신뢰성이 필요한 장치에서 탁월한 성능을 제공합니다.
Semicera의 8인치 n형 전도성 SiC 기판은 우수한 품질과 일관성을 보장하기 위해 세심하게 제작되었습니다. 효율적인 열 방출을 위한 뛰어난 열 전도성이 특징이므로 전력 인버터, 다이오드, 트랜지스터와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. 또한 이 기판의 높은 항복 전압은 까다로운 조건을 견딜 수 있도록 보장하여 고성능 전자 장치를 위한 견고한 플랫폼을 제공합니다.
Semicera는 8인치 n형 전도성 SiC 기판이 반도체 기술 발전에 중요한 역할을 한다는 것을 인식하고 있습니다. 당사의 기판은 효율적인 장치 개발에 중요한 결함 밀도를 최소화하기 위해 최첨단 공정을 사용하여 제조됩니다. 세부 사항에 대한 이러한 관심은 더 높은 성능과 내구성을 갖춘 차세대 전자 제품 생산을 지원하는 제품을 가능하게 합니다.
당사의 8인치 n형 전도성 SiC 기판은 자동차부터 재생 에너지까지 광범위한 응용 분야의 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. n형 전도성은 효율적인 전력 장치를 개발하는 데 필요한 전기적 특성을 제공하므로 이 기판을 보다 에너지 효율적인 기술로 전환하는 데 핵심 구성 요소로 만듭니다.
Semicera는 반도체 제조 분야의 혁신을 주도하는 기판을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 8인치 n형 전도성 SiC 기판은 고객이 응용 분야에 가장 적합한 재료를 받을 수 있도록 보장하는 품질과 우수성에 대한 당사의 헌신에 대한 증거입니다.
기본 매개변수
| 크기 | 8인치 |
| 지름 | 200.0mm+0mm/-0.2mm |
| 표면 방향 | 축외: <1120> 방향으로 4°±0.5° |
| 노치 방향 | <1100>士1° |
| 노치 각도 | 90°+5°/-1° |
| 노치 깊이 | 1mm+0.25mm/-0mm |
| 2차 아파트 | / |
| 두께 | 500.0士25.0um/350.0±25.0um |
| 폴리타입 | 4H |
| 전도성 유형 | n형 |
