Semicera의 6인치 LiNbO3 본딩 웨이퍼는 반도체 산업의 엄격한 표준을 충족하도록 설계되어 연구 및 생산 환경 모두에서 비교할 수 없는 성능을 제공합니다. 고급 광전자 공학, MEMS 또는 고급 반도체 패키징 등 무엇이든 이 본딩 웨이퍼는 최첨단 기술 개발에 필요한 신뢰성과 내구성을 제공합니다.
반도체 산업에서 6인치 LiNbO3 본딩 웨이퍼는 광전자소자, 센서, 미세전자기계시스템(MEMS)의 얇은 층을 접합하는 데 널리 사용됩니다. 뛰어난 특성으로 인해 집적 회로(IC) 및 광자 장치 제조와 같이 정밀한 레이어 통합이 필요한 응용 분야에 귀중한 구성 요소가 됩니다. 웨이퍼의 순도가 높기 때문에 최종 제품이 최적의 성능을 유지하고 장치 신뢰성에 영향을 미칠 수 있는 오염 위험을 최소화합니다.
| LiNbO3의 열적, 전기적 특성 | |
| 녹는점 | 1250℃ |
| 퀴리 온도 | 1140℃ |
| 열전도율 | 38W/m/K @ 25℃ |
| 열팽창 계수(@ 25°C) | //a，2.0×10-6/케이 //c，2.2×10-6/케이 |
| 비저항 | 2×10-6Ω·cm @ 200℃ |
| 유전 상수 | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0= 2 |
| 압전 상수 | D22=2.04×10-11C/N D33=19.22×10-11C/N |
| 전기 광학 계수 | γT33=32pm/V, γS33=오후 31시/V， γT31=오후 10시/V, γS31=오후 8시 6분/V， γT22=6.8pm/V, γS22=오후 3시 4분/V， |
| 반파 전압, DC | 3.03KV 4.02KV |
Semicera의 6인치 LiNbO3 본딩 웨이퍼는 반도체 및 광전자 산업의 고급 응용 분야를 위해 특별히 설계되었습니다. 탁월한 내마모성, 높은 열 안정성 및 탁월한 순도로 알려진 이 본딩 웨이퍼는 고성능 반도체 제조에 이상적이며 까다로운 조건에서도 오래 지속되는 신뢰성과 정밀도를 제공합니다.
최첨단 기술로 제작된 6인치 LiNbO3 본딩 웨이퍼는 오염을 최소화하며, 이는 높은 수준의 순도가 요구되는 반도체 생산 공정에 매우 중요합니다. 탁월한 열 안정성으로 인해 구조적 무결성을 손상시키지 않고 높은 온도를 견딜 수 있으므로 고온 접착 응용 분야에 신뢰할 수 있는 선택입니다. 또한, 웨이퍼의 뛰어난 내마모성은 장기간 사용에도 일관되게 작동하여 장기적인 내구성을 제공하고 빈번한 교체 필요성을 줄여줍니다.
