세미세라발표하게 된 것을 자랑스럽게 생각합니다.30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판, 현대 전자 및 광전자 응용 분야의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 최고급 소재입니다. AlN(질화알루미늄) 기판은 뛰어난 열 전도성과 전기 절연 특성으로 유명하여 고성능 장치에 이상적인 선택입니다.
주요 특징:
• 탁월한 열전도율:30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판다른 기판 재료보다 훨씬 높은 최대 170W/mK의 열전도율을 자랑하여 고전력 애플리케이션에서 효율적인 열 방출을 보장합니다.
•높은 전기 절연성: 우수한 전기 절연 특성을 지닌 이 기판은 누화 및 신호 간섭을 최소화하여 RF 및 마이크로파 응용 분야에 이상적입니다.
•기계적 강도:30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판우수한 기계적 강도와 안정성을 제공하여 엄격한 작동 조건에서도 내구성과 신뢰성을 보장합니다.
•다양한 애플리케이션: 이 기판은 고출력 LED, 레이저 다이오드 및 RF 부품에 사용하기에 적합하며 가장 까다로운 프로젝트에 견고하고 안정적인 기반을 제공합니다.
•정밀 제작: Semicera는 각 웨이퍼 기판을 최고의 정밀도로 제작하여 첨단 전자 장치의 엄격한 기준을 충족할 수 있도록 균일한 두께와 표면 품질을 제공합니다.
Semicera의 솔루션으로 장치의 효율성과 신뢰성을 극대화하세요30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판. 당사의 기판은 탁월한 성능을 제공하도록 설계되어 전자 및 광전자 시스템이 최상의 상태로 작동하도록 보장합니다. 품질과 혁신 분야에서 업계를 선도하는 최첨단 소재를 신뢰하는 Semicera를 만나보세요.
품목 | 생산 | 연구 | 더미 |
크리스탈 매개변수 | |||
폴리타입 | 4H | ||
표면 방향 오류 | <11-20 >4±0.15° | ||
전기적 매개변수 | |||
도펀트 | n형 질소 | ||
비저항 | 0.015-0.025ohm·cm | ||
기계적 매개변수 | |||
지름 | 150.0±0.2mm | ||
두께 | 350±25μm | ||
기본 평면 방향 | [1-100]±5° | ||
기본 평면 길이 | 47.5±1.5mm | ||
2차 아파트 | 없음 | ||
TTV | 5μm 이하 | 10μm 이하 | 15μm 이하 |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | 10μm 이하(5mm*5mm) |
절하다 | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
경사 | ≤35μm | 45μm 이하 | ≤55μm |
전면(Si-face) 거칠기(AFM) | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
구조 | |||
마이크로파이프 밀도 | <1개/cm2 | <10개/cm2 | <15개/cm2 |
금속 불순물 | ≤5E10원자/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500개/cm2 | ≤3000개/cm2 | NA |
티에스디 | ≤500개/cm2 | ≤1000개/cm2 | NA |
전면 품질 | |||
앞쪽 | Si | ||
표면 마무리 | Si-페이스 CMP | ||
입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3μm) | NA | |
긁힌 자국 | ≤5ea/mm. 누적 길이 ≤직경 | 누적 길이≤2*직경 | NA |
오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염 | 없음 | NA | |
가장자리 칩/압흔/파손/육각 플레이트 | 없음 | ||
다형 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤20% | 누적 면적 ≤30% |
전면 레이저 마킹 | 없음 | ||
뒷면 품질 | |||
백마무리 | C-페이스 CMP | ||
긁힌 자국 | ≤5ea/mm, 누적 길이≤2*직경 | NA | |
뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 | ||
뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
후면 레이저 마킹 | 1mm(상단 가장자리부터) | ||
가장자리 | |||
가장자리 | 모따기 | ||
포장 | |||
포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료 다중 웨이퍼 카세트 포장 | ||
*참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다. |