세미세라발표하게 된 것을 자랑스럽게 생각합니다.30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판, 현대 전자 및 광전자 응용 분야의 엄격한 요구 사항을 충족하도록 설계된 최고급 소재입니다. 질화알루미늄(AlN) 기판은 뛰어난 열 전도성과 전기 절연 특성으로 유명하여 고성능 장치에 이상적인 선택입니다.
주요 특징:
• 탁월한 열전도율:30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판다른 기판 재료보다 훨씬 높은 최대 170W/mK의 열전도율을 자랑하여 고전력 애플리케이션에서 효율적인 열 방출을 보장합니다.
•높은 전기 절연성: 우수한 전기 절연 특성을 지닌 이 기판은 누화 및 신호 간섭을 최소화하여 RF 및 마이크로파 응용 분야에 이상적입니다.
•기계적 강도:30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판우수한 기계적 강도와 안정성을 제공하여 엄격한 작동 조건에서도 내구성과 신뢰성을 보장합니다.
•다양한 애플리케이션: 이 기판은 고출력 LED, 레이저 다이오드 및 RF 부품에 사용하기에 적합하며 가장 까다로운 프로젝트에 견고하고 안정적인 기반을 제공합니다.
•정밀 제작: Semicera는 각 웨이퍼 기판을 최고의 정밀도로 제작하여 첨단 전자 장치의 엄격한 기준을 충족시키기 위해 균일한 두께와 표면 품질을 제공합니다.
Semicera의 솔루션으로 장치의 효율성과 신뢰성을 극대화하세요30mm 알루미늄 질화물 웨이퍼 기판. 당사의 기판은 탁월한 성능을 제공하도록 설계되어 전자 및 광전자 시스템이 최상의 상태로 작동하도록 보장합니다. 품질과 혁신 분야에서 업계를 선도하는 최첨단 소재를 신뢰하는 Semicera를 만나보세요.
품목 | 생산 | 연구 | 더미 |
크리스탈 매개변수 | |||
폴리타입 | 4H | ||
표면 방향 오류 | <11-20 >4±0.15° | ||
전기적 매개변수 | |||
도펀트 | n형 질소 | ||
비저항 | 0.015-0.025ohm·cm | ||
기계적 매개변수 | |||
지름 | 150.0±0.2mm | ||
두께 | 350±25μm | ||
기본 평면 방향 | [1-100]±5° | ||
기본 평면 길이 | 47.5±1.5mm | ||
2차 아파트 | 없음 | ||
TTV | 5μm 이하 | 10μm 이하 | 15μm 이하 |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | 10μm 이하(5mm*5mm) |
절하다 | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
경사 | ≤35μm | 45μm 이하 | ≤55μm |
전면(Si-face) 거칠기(AFM) | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
구조 | |||
마이크로파이프 밀도 | <1개/cm2 | <10개/cm2 | <15개/cm2 |
금속 불순물 | ≤5E10원자/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500개/cm2 | ≤3000개/cm2 | NA |
티에스디 | ≤500개/cm2 | ≤1000개/cm2 | NA |
전면 품질 | |||
앞쪽 | Si | ||
표면 마무리 | Si-페이스 CMP | ||
입자 | ≤60개/웨이퍼(크기≥0.3μm) | NA | |
긁힌 자국 | ≤5ea/mm. 누적 길이 ≤직경 | 누적 길이≤2*직경 | NA |
오렌지 껍질/구덩이/얼룩/줄무늬/균열/오염 | 없음 | NA | |
가장자리 칩/압흔/파손/육각 플레이트 | 없음 | ||
다형 영역 | 없음 | 누적 면적 ≤20% | 누적 면적 ≤30% |
전면 레이저 마킹 | 없음 | ||
뒷면 품질 | |||
백마무리 | C-페이스 CMP | ||
긁힌 자국 | ≤5ea/mm, 누적 길이≤2*직경 | NA | |
뒷면 결함(가장자리 칩/압흔) | 없음 | ||
뒷면 거칠기 | Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | ||
후면 레이저 마킹 | 1mm(상단 가장자리부터) | ||
가장자리 | |||
가장자리 | 모따기 | ||
포장 | |||
포장 | 진공 포장으로 Epi 준비 완료 다중 웨이퍼 카세트 포장 | ||
*참고: "NA"는 요청 없음을 의미합니다. 언급되지 않은 항목은 SEMI-STD를 참조할 수 있습니다. |