2~6인치 4° 오프 앵글 P형 4H-SiC 기판

Semicera의 2~6인치 4° 오프각 P형 4H-SiC 기판은 고성능 전력 및 RF 장치 제조업체의 증가하는 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 4° 오프 각도 방향은 최적화된 에피택시 성장을 보장하므로 이 기판은 MOSFET, IGBT 및 다이오드를 포함한 다양한 반도체 장치의 이상적인 기반이 됩니다.

이 2~6인치 4° 오프각 P형 4H-SiC 기판은 높은 열전도율, 우수한 전기적 성능, 뛰어난 기계적 안정성을 비롯한 우수한 재료 특성을 가지고 있습니다. 오프앵글 방향은 마이크로파이프 밀도를 줄이는 데 도움이 되고 더 부드러운 에피택셜 층을 촉진합니다. 이는 최종 반도체 장치의 성능과 신뢰성을 향상시키는 데 중요합니다.

Semicera의 2~6인치 4° 오프각 P형 4H-SiC 기판은 다양한 제조 요구 사항을 충족하기 위해 2인치~6인치 범위의 다양한 직경으로 제공됩니다. 당사의 기판은 균일한 도핑 수준과 고품질 표면 특성을 제공하도록 정밀하게 설계되어 각 웨이퍼가 고급 전자 응용 분야에 필요한 엄격한 사양을 충족하도록 보장합니다.

혁신과 품질에 대한 Semicera의 노력은 당사의 2~6인치 4° 오프각 P형 4H-SiC 기판이 전력 전자 장치에서 고주파 장치에 이르기까지 광범위한 응용 분야에서 일관된 성능을 제공하도록 보장합니다. 이 제품은 에너지 효율적인 차세대 고성능 반도체를 위한 안정적인 솔루션을 제공하여 자동차, 통신, 재생 에너지와 같은 산업의 기술 발전을 지원합니다.